Az IBM és a Samsung bejelentette legújabb fejlesztését a félvezetők tervezésében, ami egy új módja annak, hogy a tranzisztorokat függőlegesen egymásra rakják egy chipen (ahelyett, hogy a félvezető felületén egymás mellett rendeznék el őket).
Az új Vertical Transport Field Effect Tranzistor (VTFET) kialakítás a jelenlegi FinFET technológiát hivatott követni, amelyet napjaink legfejlettebb chipjeihez használnak, és lehetővé teheti a tranzisztorokkal a jelenlegieknél még sűrűbben megrakott chipeket. Lényegében az új kialakítás függőlegesen dimenzióban helyezné el a tranzisztorokat, lehetővé téve, hogy az áram fel-le folyjon a tranzisztorkötegben a jelenleg a legtöbb chipen használt vízszintes elrendezés helyett.
A félvezetők függőleges kialakítása egy ideje már trendnek tekinthető (a FinFET már kínálja ennek néhány előnyét). Az Intel jövőbeli ütemterve is ebbe az irányba mutat, bár kezdeti munkája a chipkomponensek egymásra helyezésére összpontosított, nem pedig az egyes tranzisztorokra. Végül is, ha a tervező kifogyott a lehetőségből, hogy több chipet helyezzen el egy síkban, az egyetlen valódi irány (a fizikailag zsugorodó tranzisztortechnológián kívül) a függőleges terjeszkedés.
Bár még mindig távol állunk attól, hogy a VTFET-terveket tényleges fogyasztói chipekben használják, a két vállalat komoly állításokkal lépett elő, megjegyezve, hogy a VTFET chipek "kétszeres teljesítményjavulást vagy 85 százalékos energiafelhasználás csökkenést" jelenthetnek a FinFET tervekhez képest. Az IBM és a Samsung azt állítja, hogy több tranzisztor chipekbe való becsomagolásával a VTFET technológia segíthet a Moore-törvény azon céljának megőrzésében, hogy folyamatosan növelje a tranzisztorok számát.
Az IBM és a Samsung az új technológia néhány ambiciózus felhasználási esetére is hivatkozik. Felveti például a "napok helyett egy hétig is működő mobiltelefon-akkumulátorok" ötletét, kevésbé energiaigényes kriptovaluta bányászatot vagy adattitkosítást, és még erősebb IoT eszközök vagy akár űrhajók előállítását.
Az IBM korábban az év elején bemutatta első 2 nm-es lapkáját, amely más utat jár be a még több tranzisztor begyömöszölésére, mivel a meglévő FinFET-kialakítással megnöveli a chipre illeszthető mennyiséget. A VTFET célja azonban, hogy még tovább lépjen, bár valószínűleg még időre van szükség, míg az IBM és a Samsung legújabb technológiáján alapuló chipek megjelennek a piacon.
Nem csak ezek vállalatok nézik a termelés jövőjét. Az Intel a nyáron bemutatta a RibbonFET (az Intel első, teljes körű tranzisztor) tervezését, amely a FinFET gyártástechnológia saját utóda. Ez a tervek szerint az Intel 20A generációs félvezető termékek része lesz, és 2024-ben kezdik meg a termelését. A cég a közelmúltban bejelentette saját tervét a halmozott tranzisztoros technológiára vonatkozóan is, amely pedig a RibbonFET lehetséges utóda a jövőben.
