A Samsung Electronics kétségtelenül vezeti a globális versenyt a fejlett memóriatechnológiában. A koreai óriáscég már korábban - a Flash Memory Summit 2022 és a Samsung Memory Tech Day 2022 alkalmával -bejelentette, hogy megkezdi az iparág legnagyobb bitsűrűségű, 1 terabites (Tb), háromszintű cellás (TLC), nyolcadik generációs vertikális NAND (V-NAND) chipek sorozatgyártását. A most gyártásba adott 1 TB-os új V-NAND az eddigi legnagyobb tárolókapacitású memóriachip, amely nagyobb tárhelyet tesz lehetővé a következő generációs vállalati szerverrendszerekben.
SungHoi Hur, a Samsung Electronics Flash Product & Technology ügyvezető alelnöke elmondta, hogy a sűrűbb, nagyobb kapacitású tárolók iránti piaci kereslet egyre nagyobb, így a V-NAND-nak még több rétegre van szüksége. Ehhez a Samsung a fejlett 3D skálázási technológiáját alkalmazták a felület és a magasság csökkentése érdekében, miközben elkerülték a cellák közötti interferenciát, amely a skálázás során általában előfordul. "A nyolcadik generációs V-NAND-unk segít kielégíteni a gyorsan növekvő piaci keresletet, és jobban pozicionál bennünket, hogy még differenciáltabb termékeket és megoldásokat tudjunk kínálni, amelyek a jövőbeli tárolási innovációk alapját képezik" - jelentette ki a szakember.
A Samsung az egy ostyára jutó bitteljesítmény jelentős növelésével tudta elérni az iparág legnagyobb bitsűrűségét. A Toggle DDR 5.0 interfész - legújabb NAND flash szabvány - alapján a Samsung nyolcadik generációs V-NAND-jának be- és kimeneti (I/O) sebessége akár 2,4 gigabit/másodperc (Gbps) is lehet, ami 1,2-szeres növekedést jelent az előző generációhoz képest. Ez lehetővé teszi, hogy az új V-NAND megfeleljen a PCIe 4.0, majd később a PCIe 5.0 teljesítménykövetelményeinek.
A nyolcadik generációs V-NAND várhatóan a következő generációs vállalati szerverek tárolókapacitásának bővítését segítő tárolókonfigurációk sarokköveként szolgál majd, miközben a felhasználása az autóipari piacra is kiterjed, ahol a megbízhatóság különösen kritikus.
