A Kioxia és a Western Digital egy új technológiával előállította a legnagyobb bitsűrűségű flashmemóriát. A 218 rétegű 3D flash 1 TB-os triple-level-cell (TLC) és quad-level-cell (QLC) négy síkkal, valamint innovatív oldalirányú zsugorítási technológiával készül, amely több mint 50 százalékkal növeli a bitsűrűséget.
A Kioxia és a Western Digital több egyedi eljárás és architektúra bevezetésével csökkentette a költségeket, lehetővé téve a folyamatos oldalirányú skálázási előrelépéseket. A függőleges és oldalirányú skálázás közötti egyensúly nagyobb kapacitást eredményez egy kisebb lapkán, kevesebb réteggel, optimalizált költség mellett. A vállalatok úttörő CBA (CMOS directly Bonded to Array) technológiát is kifejlesztettek, amelyben minden egyes CMOS ostyát és cellatömb ostyát külön-külön, optimalizált állapotban gyártanak, majd összekötik őket, hogy nagyobb bitsűrűséget és gyors NAND I/O sebességet biztosítsanak.
"Az új 3D flashmemória jól mutatja a Kioxiával való szoros partnerségünk és a közös innovációs vezető szerepünk előnyeit. Egy közös K+F ütemtervvel és a K+F-be való folyamatos befektetéssel sikerült ezt az alapvető technológiát a tervezettnél hamarabb produktivvá tenni, és nagy teljesítményű, tőkehatékony megoldásokat kínálni" - mondta Alper Ilkbahar, a Western Digital technológiai és stratégiai alelnöke.
"Egyedülálló mérnöki partnerségünk révén sikeresen piacra dobtuk a nyolcadik generációs BiCS FLASHTM-et az iparág legnagyobb bitsűrűségével" - mondta Masaki Momodomi, a Kioxia Corporation technológiai igazgatója.
"Örülök, hogy a Kioxia korlátozott számú ügyfél számára máris megkezdte a mintaszállításokat. A CBA technológia és a skálázási innovációk alkalmazásával továbbfejlesztettük a 3D flashmemória-technológiák portfólióját, amelyet számos adatközpontú alkalmazásban, többek között okostelefonokban, IoT-eszközökben és adatközpontokban használhatunk" - tette hozzá.
