A Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) bejelentette, hogy tervei szerint 2010 elején már úgy tud kínálni teljes körű, 28 nanométeres gyártástechnológiát ügyfeleinek, hogy azok a különböző teljesítményigényekhez és megoldásokhoz a magas k-együtthatójú kapuelektróda (high-k metal gate - HKMG), és a szilícium-oxinitrid (SiON) eljárások közül is választhatnak.
A SiON-alapú, 28LPT (low power / high performance - alacsony energiafelhasználás / magas teljesítmény) eljárás a család alacsonyabb energiafelhasználású, gazdaságos technológiája. Azt várják tőle, hogy kétszeres kapuelektróda-sűrűséget és 50 százalékkal magasabb sebességet (órajelfrekvenciát), valamint 30-50 százalékkal alacsonyabb energiafelhasználást biztosít majd, mint a TSMC 40LP technológiája. A 28LPT eljárást felvonultató gyártás beindulását 2010 elejére tervezik, és legszélesebb körben a mobileszközök különféle megoldásainál alkalmazzák majd. A TSMC döntését, vagyis hogy a bevált SiON technológiára építik a 28LPT eljárást, a vezetéknélküli és hordozható szórakoztatóelektronikai eszközök gyors fejlődése, az alkotóelemek rövid gyártási határidői indokolják.
A 28HP (high performance - magas teljesítmény) eljárás a TSMC első HKMG technológiája, és az olyan nagy teljesítményű megoldásokat szolgálja, mint a CPU-k vagy a GPU-k. Az eljárás a TSMC 40G-nél kétszer nagyobb kapusűrűséget és 30 százalékkal magasabb órajelfrekvenciák elérését teszi lehetővé, méghozzá hasonló fogyasztás mellett. A HKMG technológia nemcsak az eszközök méretezése, de a 28 nanométernél kisebb csíkszélességű technológiák kidolgozásának szempontjából is nagyon ígéretes.
